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2SJ649
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
90
80
70
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
60
50
40
V GS = ? 4.0 V
? 10 V
1000
C oss
30
20
10
Pulsed
100
10
C rss
0
– 0.1
– 1
– 10
– 100
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
V DS - Drain to Source Voltage - V
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = – 30 V
V GS = – 10 V
R G = 0 ?
- 50
- 45
- 40
V GS
- 10
-8
100
t d(off)
- 35
- 30
V DD = ? 48 V
? 30 V
? 12 V
-6
t f
- 25
10
t r
t d(on)
- 20
- 15
-4
- 10
-5
V DS
I D = ? 20 A
Pulsed
-2
1
– 0.1
– 1
– 10
– 100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
– 100
Pulsed
1000
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
V GS = –10 V
– 10
– 1
– 4.0 V
0V
100
10
– 0.1
– 0.01
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
1
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16332EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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